不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究

作者：龚晓霞; 肖婷婷; 杨瑞宇; 黎秉哲; 尚发兰; 孙祥乐; 赵宇鹏; 陈冬琼; 杨文运^*

来源：红外技术, 2020, 42(10): 953-957.

• 钝化膜
• InSb探测器
• 暗电流
• 固定电荷

采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响。实验结果表明SiO2+SiNx复合膜能大幅度降低器件表面暗电流,C-V测试结果也表明复合钝化膜能大幅度降低了界面固定电荷。将复合钝化膜应用到128×128 15μm InSb焦平面探测器上,探测器芯片优值因子R0A≥5×104Ω·cm2,较之前(R0A≈5×103Ω·cm2)得到了极大改善。

• 单位
  昆明物理研究所