一种基于异质外延Ga₂O₃薄膜深紫外光电探测器的制备方法

作者：张春福; 许育; 安志远; 张进成; 郝跃; 陈大正

来源：2019-07-13, 中国, ZL201910634459.X.

本发明公开了一种Ga_2O_3深紫外探测器的制备方法,主要解决现有技术反应温度高、设备工艺复杂的问题。其实现方案是：1.配制前体乙酰丙酮镓水溶液；2.清洗蓝宝石衬底；3.通过Mist-Cvd设备,将前体乙酰丙酮镓水溶液超声雾化,并在清洗后的蓝宝石衬底上加热生长为Ga_2O_3薄膜；4.通过光刻工艺在生长了Ga_2O_3薄膜的样品上制作电极图形；5.在带有电极图形的Ga_2O_3薄膜上制作金属电极,完成Ga_2O_3深紫外探测器的制作。本发明工艺简单,易于实现,即仅需要较低的合成温度就能在短时间内获得高质量薄膜。光电测试表明,用本发明制作的深紫外光电探测器具有很高的响应度和很快的响应时间,可用于探测器的制备。

• 单位
  西安电子科技大学