对磁控忆阻器影响下的Sherman神经元系统的分岔行为进行分析。分别选取胰岛β细胞神经元模型膜电位的反转电压VCa和VK作为分岔参数，使用峰峰间期分岔图、时间响应图以及相平面图对神经元系统分岔过程进行详细分析，随着参数变化，发现Sherman神经元系统表现出完全相反的放电节律。整体表现为带有混沌的加周期簇放电、倍周期簇放电以及倍周期峰放电。在加周期簇放电过程中，发现随周期数的增加，神经元系统膜电位的放电振幅逐渐减小，簇内放电尖峰的振幅值随着周期数增加降低更为明显。
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