Si基碲镉汞分子束外延工艺优化研究

作者：王经纬; 巩锋; 刘铭; 强宇; 常米; 周立庆

来源：激光与红外, 2012, (10): 1161-1164.

• 硅基碲镉汞
• 分子束外延
• 工艺优化
• RHEED
• CdTe二次缓冲层 Si based HgCdTe
• MBE
• optimized research
• RHEED
• secondary CdTe-Buffer

报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下半峰宽达到90.72 arcsec,原生片位错密度(EPD)小于1×107 cm-2;采用此材料成功制备出了高性能的中波Si基1280×1024碲镉汞探测器。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十一研究所