(Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn2+的荧光以及长余辉发光性能

作者：过诚; 丛妍; 董斌; 朱子茂; 王子文; 张瑱; 李斌

来源：发光学报, 2017, 38(09): 1161-1166.

• 长余辉发光
• 2+" name="keyword">(Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn2+
• 热释光

采用高温固相法制备了一系列(Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn2+(0≤x≤0.25)绿色荧光粉,并研究了Mg离子对(Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn2+的结构、荧光以及长余辉发光性能的影响。Mg离子取代Zn进入Zn2GeO4晶格,形成(Zn1-x,Mgx)2GeO4固溶体,并产生了晶格畸变。光谱分析结果表明,样品中位于533 nm的绿色荧光源于Mn2+的4T1(4G)→6A1(6S)跃迁。随着Mg离子浓度的增加,(Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn2+样品的激发光谱出现了蓝移现象,说明Mg离子进入到Zn2GeO4晶格中对其晶格结构产生了影响,导致(Zn1-x,Mgx)2GeO4的带宽发生改变。发射光谱则表明Mg离子进入Zn2GeO4晶格引起Mn2+的4T1(4G)→6A1(6S)跃迁绿色荧光发光强度的增强。Zn2GeO4基质中的氧空位缺陷陷阱深度由于基质带宽的变化而变深,样品具有良好的长余辉发光效果。通过热释光谱分析研究了材料中缺陷陷阱的特征,进一步证实了(Zn1-x,Mgx)2GeO4中缺陷陷阱深度发生改变。根据光谱分析结果给出了(Zn1-x,Mgx)2GeO4∶Mn2+中荧光与余辉发光的产生机理。

• 单位
  大连民族大学; 发光学及应用国家重点实验室; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所