基于双正交提升小波的单晶硅绒面的去噪研究

作者：徐瑞芬

来源：电脑知识与技术, 2012, (09): 2087-2089.

• 单晶硅绒面
• 双正交提升小波
• 凹坑
• 去噪

单晶硅绒面在制绒时随着制绒液的浓度的变化,有可能会导致腐蚀不均匀,绒面的顶部或底部会有准方形的凹坑出现。基于双正交小波,结合提升小波的优点,形成双正交提升小波,对单晶硅绒面进行去噪处理。结果表明,双正交提升小波能将表面的"凹坑"缺陷去除,并以光的吸收率为依据将"凹坑信号"等价为"小的三角形"。

• 单位
  丽水学院