基于高低肖特基势垒机理提出一种无掺杂的隧道场效应晶体管HLSB-TFET。该器件只需要一个具有独立电源的栅电极且无需掺杂。在源极与中间硅区导带之间形成高肖特基势垒，用来产生隧道效应作为正向导通机制；在漏极与中间硅区导带之间形成低肖特基势垒，用于防止由热离子发射引起的空穴。所提出的HLSB-TFET对空穴具有自然的阻挡效应，不会随着漏极到源极电压的增加而显著降低。经过仿真验证，该器件的亚阈值摆幅较低，反向漏电与静态功耗均较小，体现出较高的应用优势。
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