基于双异质结的光电探测器及其制备方法

作者：苏杰; 王博文; 常晶晶; 林珍华; 张进成; 郝跃

来源：2022-07-12, 中国, ZL202210816620.7.

本发明公开了一种基于WSe-2/MoS-2和MoS-2/β-Ga-2O-3双异质结的光电探测器及其制备方法,主要解决现有MoS-2/β-Ga-2O-3异质结光电探测器暗电流过大、响应度较低的问题。其自下而上包括：衬底、β-Ga-2O-3层和MoS-2层,该MoS-2层的上部增设有WSe-2层,以在β-Ga-2O-3层与MoS-2层之间形成Ⅰ型异质结,在MoS-2层与WSe-2层之间形成Ⅱ型异质结,该WSe-2层和MoS-2层的两端对称设置阳极和阴极。本发明通过设置Ⅱ型异质结与Ⅰ型异质结组合的双异质结结构,实现对光生载流子的分离、增强电场强度、增加光吸收率,进而降低暗电流、提高器件响应速度,可用于紫外区间光电探测。

• 单位
  西安电子科技大学