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摘要
针对化学机械抛光（CMP）过程中的铜残留缺陷问题,研究了一种在FA/O阻挡层抛光液中添加助溶剂和H2O2的新型阻挡层抛光液。分别考察助溶剂和H2O2对SiO2介质和铜去除速率的影响以及对碟形坑和蚀坑的修正能力,通过扫描电子显微镜（SEM）观察铜残留缺陷的情况。结果显示,在FA/O阻挡层抛光液中加入1. 5 g/L助溶剂和体积分数0. 05%H2O2对SiO2和铜的去除速率选择比最优,为1. 96。同时,添加了助溶剂和H2O2的FA/O阻挡层抛光液对碟形坑修正的能力为48. 2 nm,对蚀坑修正的能力为38. 9 nm,修正能力非常强。铜布线片阻挡层抛光后,碟形坑深度为4. 7 nm,蚀坑深度为19. 9 nm,将碟形坑和蚀坑的深度降到较小的范围。SEM检测结果表明,铜残留较少,表面形貌较好。
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