提出了一种具有n型隐埋载流子存储层的基极电阻控制晶闸管（BRT）新结构。利用TCAD仿真软件对其工作机理和静态特性进行了分析，并与双栅BRT进行了性能对比。结果表明，新器件导通时会产生电子注入增强效应，由绝缘栅双极晶体管模式快速转换成晶闸管模式，当n型隐埋层浓度为8×1015 cm-3，隐埋层与p基区相接并与p++分流区距离接近时，能够有效抑制器件中的电压折回现象，获得良好的导通特性。新器件的导通压降为3.84 V，比传统器件减少了26%。
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