正背栅SOI-MOSFET二维阈值电压解析模型

作者：张国和; 邵隽; 陈婷

来源：世界科技研究与发展, 2012, (01): 29-34.

DOI：10.16507/j.issn.1006-6055.2012.01.009

• 全耗尽SOI-MOSFET
• 背栅电压
• 阈值电压解析模型 FD-SOI-MOSFET
• back-gate bias
• threshold voltage model

通过建立沟道区域和埋氧区域的二维泊松方程,并考虑衬底区域的掺杂和背栅偏压对器件阈值电压的影响,得到了一种正背栅全耗尽SOI-MOSFET二维阈值电压模型。根据模型计算结果,研究了衬底掺杂浓度和衬底(背栅)偏压对器件阈值电压的影响,通过与MEDICI数值模拟结果的比较表明,该模型能预计不同衬底掺杂浓度和衬底(背栅)偏压对阈值电压的影响,正确反映器件的短沟效应和背栅效应。

• 单位
  西安交通大学