用低温化学气相沉积法大量制备单晶ZnO纳米线及其光致发光研究

作者：孔明光; 刘小网; 耿保友; 张年荣

来源：安徽师范大学学报(自然科学版), 2007, (01): 45-48.

• 氧化物
• 半导体
• 纳米线
• 化学气相沉积(CVD)
• 荧光光谱 oxides
• semiconductors
• nanowires
• chemical vapor deposition(CVD)
• photoluminescence

在氩气气氛中,利用物理蒸发高纯Zn粉和SiO2纳米粉混合物的方法,控制温度在650℃时,获得了大量的六方相ZnO纳米线,直径约40nm,这和先前报道的制备ZnO纳米线的方法相比,温度降低了大约200℃-300℃.纳米线的生长过程中遵循气-固相生长机制.荧光光谱表明产物具有两个发射带,一个处于紫外波段,另一个处在绿光发射带.

• 单位
  安徽师范大学; 中国科学院固体物理研究所