一种异质P型调制氧化镓功率二极管及其制备方法

作者：马晓华; 陆小力; 何云龙; 郑雪峰; 王当坡; 张方; 洪悦华; 杨一彤; 郝跃

来源：2021-09-13, 中国, CN202111070352.0.

本发明涉及一种异质P型调制氧化镓功率二极管及其制备方法,该异质P型调制氧化镓功率二极管,包括：阴极、衬底层、漂移层、介质层和阳极,其中,阴极、衬底层和漂移层自下而上依次层叠设置；漂移层上刻蚀形成若干柱状结构,相邻柱状结构之间形成凹槽；介质层设置在柱状结构的上方以及凹槽的底部和内壁,介质层与漂移层形成异质PN结结构；阳极设置在介质层上。本发明的异质P型调制氧化镓功率二极管,通过在漂移层上刻蚀形成若干柱状结构,同时相邻所述柱状结构之间形成凹槽,将凹槽结构与P型NiO介质层结合,实现了P型NiO在侧面调制氧化镓沟道电场分布,提升了氧化镓功率二极管的击穿电压。

• 单位
  西安电子科技大学