高电流密度通孔电镀铜用抑制剂的研究

作者：夏威; 廖小茹; 洪捷凯; 廖代辉; 谭柏照; 孙宇曦; 曾庆明; 罗继业^*

来源：电镀与涂饰, 2023, 42(11): 43-49.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2023.11.007

• 印制线路板
• 通孔
• 电镀铜
• 抑制剂
• 均镀能力

针对印制线路板(PCB)通孔高电流密度电镀的需求，通过循环伏安分析、霍尔槽试验和通孔电镀实验研究了不同分子量的聚乙二醇(包括PEG6000和PEG20000)、环氧乙烷(EO)与环氧丙烷(PO)共聚物(包括PE6400和17R4)及聚环氧乙烷-聚环氧丙烷单丁醚(50HB-400)5种抑制剂对通孔导通电镀铜的影响。循环伏安分析表明，抑制剂对Cu电沉积的抑制能力受其分子结构和分子量的共同影响。抑制剂分子中PO结构含量越高，其抑制能力越强；分子结构相同时，抑制剂的分子量越大，其抑制强度越大。5种抑制剂都能够实现在1～10 A/dm2的电流密度范围内获得细致光亮的Cu镀层。采用100 mg/L 50HB-400作为抑制剂与2 mL/L加速剂聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)及5 mL/L整平剂L-500搭配使用时，能够在6 A/dm2的大电流密度下对深径比≤5∶1的通孔实现高均匀性电镀。

• 单位
  广东工业大学; 惠州市技师学院; 广东硕成科技有限公司