HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响

作者：张雷; 邵永亮; 吴拥中; 张浩东; 郝霄鹏; 蒋民华

来源：人工晶体学报, 2011, 40(04): 853-857.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2011.04.008

• 模拟
• GaN
• 氢化物气相外延
• 气流分布 simulation
• hydride vapor phase epitaxy
• gas distribution

采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响GaCl和NH3在衬底上均匀分布的重要因素。采用HVPE方法在不同GaCl载气流量下生长GaN单晶,研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影响,得到了与模拟一致的结果。

• 单位
  晶体材料国家重点实验室; 山东大学