高压As-MOS管用硅外延材料制备工艺的研究

作者：李国鹏; 马梦杰; 金龙; 王银海; 邓雪华; 杨帆

来源：化工时刊, 2019, 33(12): 17-19.

DOI：10.16597/j.cnki.issn.1002-154x.2019.12.005

• 硅外延
• 高阻薄层
• 片间掺杂效应
• 电阻率

高压As-MOS管用硅外延材料制备工艺的难点在于重掺砷(As)衬底外延的自掺杂和固态外扩散严重,外延电阻率和过渡区不易控制。在多片式外延炉生产时又会因重掺砷衬底之间相互影响,导致相同工艺条件下外延电阻率因片数不同而存在较大差异。本文对不同外延厚度和电阻率产品的片间掺杂效应进行量化分析,确定了不同规格产品的影响幅度,其中高阻薄层产品受影响最大。此外依据自掺杂的产生机理及固体扩散理论,通过二步外延法工艺,有效降低了片间掺杂效应的影响,消除了多片炉生产时因片数不同而产生的参数差异。