等离子增强化学气相沉积法低温生长SiO_x薄膜的针孔缺陷修复

作者：刘键; 胡跃明; 冷兴龙; 杜鹃

来源：电子与封装, 2020, 20(01): 50-55.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0112

• 薄膜封装
• 针孔缺陷
• 水汽渗透率

针对等离子增强化学气相沉积（PECVD）方法低温（60℃）生长氧化硅（SiOx）薄膜中存在的针孔缺陷,在SiOx薄膜上采取原子层沉积（ALD）方法生长氧化铝（AlOy）,利用ALD方法材料保形生长的特点,进行SiOx薄膜的针孔缺陷修复工艺技术研究。实验结果表明:在SiOx薄膜上利用ALD方法保形生长氧化铝,可以明显降低AlOy/SiOx复合薄膜的水汽渗透率,提高薄膜封装性能。通过实验数据分析认为:复合薄膜的水汽阻隔能力是由于ALD方法及PECVD方法两种薄膜生长方法的综合作用,这种综合作用很有可能来自PECVD方法薄膜中针孔缺陷的修复,而ALD方法正是完成修复过程的技术手段。另外,ALD方法的工艺参数与针孔缺陷的修复效果相关,ALD生长周期时间延长,有利于提高针孔缺陷的修复效果,从而降低了复合薄膜的水汽渗透率。

• 单位
  中国科学院微电子研究所; 华南理工大学