摘要

利用热重分析法和SEM,X射线衍射考察了不同致密度的MoS i2材料在1 200℃的循环氧化行为。研究结果表明:不同致密度的MoS i2均未发生“Pesting”现象,致密度和“Pesting”现象无本质关系。低致密度MoS i2材料在0~1h和1~480 h阶段,氧化动力学曲线基本呈直线,而高致密度的材料氧化动力学曲线近似抛物线。氧化480 h后,最小致密度(78.6%)试样和最高致密度(94.8%)试样增质分别为10.39 mg/cm2和0.135mg/cm2。高致密度MoS i2材料优异的抗氧化主要归因于其生成了连续致密的保护膜,阻止了氧化的进一步发生。氧化层相组成由表至里按照S iO2...