摘要
首先对有关薄膜电阻的理论作了一定的探讨,得出薄膜电阻随电阻率的增加,其温度系数将会减小;在一定厚度范围内薄膜厚度减小,其温度系数减小;适当的成膜工艺能控制和改善电阻的温度系数的结论。给出了制备薄膜电阻的试验方法(调整薄膜的淀积条件以获得高质量的薄膜,再通过热处理激活)及试验结果,对影响电阻特性及稳定性的一些条件进行了讨论,并探讨了高稳定薄膜电阻技术在集成电路中的应用前景。该工艺现已在双极和MOS电路中得到了很好的应用,拥有更快、更好的发展前景。
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单位中国电子科技集团公司