一种GaN基级联功率器件及其封装方法

作者：王洪; 陈泽亮; 周泉斌; 高升

来源：2018-08-21, 中国, ZL201810953473.1.

本发明公开了一种GaN基级联功率器件及其封装方法。该GaN基级联功率器件包括大栅宽GaN基功率芯片、硅基功率MOS芯片、TO-220框架、小铜基板、导电银浆和绝缘胶；大栅宽GaN基功率芯片是横向结构的高耐压、耗尽型GaN基功率芯片,硅基功率MOS芯片是垂直结构的低压、增强型硅基功率MOS芯片。硅基功率MOS芯片通过导电银浆与小铜基板连接,小铜基板通过绝缘胶与TO-220框架的基岛连接；大栅宽GaN基功率芯片通过绝缘胶固定在TO-220框架的基岛上；本发明通过引入Cascode方式,将大栅宽GaN基功率芯片与硅基功率MOS芯片结合起来,组合成实用性更广的增强型的GaN基功率器件。

• 单位
  华南理工大学; 中山市华南理工大学现代产业技术研究院