本实用新型涉及非易失存储器技术领域,尤其涉及一种用于铁电随机存储器的灵敏放大电路。本实用新型由一对交叉耦合的CMOS反相器,一个栅极接使能信号的PMOS管和一个栅极接使能信号的NMOS管组成；位线预放电信号控制的两个NMOS管可以使得静态时位线电压为零,减小对内部信号的干扰。本实用新型在读取数据时的抗干扰性和可靠性高,电路结构简单、占用面积小、速度快、功耗低、输入输出合一。
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