基于磷钝化栅介质的1.2kV 4H-SiC DMOSFET

作者：刘佳佳^*; 刘英坤; 谭永亮; 张力江; 崔玉兴

来源：电子学报, 2018, 46(08): 2026-2029.

• 4H-SiC MOSFET
• 4H-SiC/SiO2界面
• 磷钝化
• 界面态密度

本文对比了NO退火和磷掺杂两种栅钝化工艺,其中磷钝化采用了平面扩散源进行掺杂,通过C-V特性进行了4H-SiC/SiO2界面特性评价,使用Terman法分析计算获得距导带底0.2-0.4e V范围内界面态密度.结果表明引入磷比氮能更有效降低界面态密度,提高沟道载流子迁移率.其次,对比了两种栅钝化工艺制备的4H-SiC DMOSFET器件性能,实验表明采用磷钝化工艺处理的器件性能更优.最后,基于磷掺杂钝化工艺首次制备出击穿电压为1200V、导通电阻为20mΩ、漏源电流为75 A、阈值电压为2.4V的4H-SiC DMOSFET.

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所