CdZnTe晶体缺陷的交流阻抗谱研究

作者：牟浩; 谢经辉; 刘雨从; 王丁; 沈悦; 王林军

来源：电子科技, 2020, 33(11): 11-15.

DOI：10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2020.11.003

• 碲锌镉
• 晶体缺陷
• 激活能
• 交流阻抗谱

宽禁带II-VI族半导体化合物碲锌镉(CdZnTe)晶体是制备室温X和γ射线探测器的理想半导体材料,但其晶体缺陷特性对探测器性能有重要的影响,一直是人们研究的热点与难点。文中采用垂直布里奇曼法生长了CdZnTe晶锭,XRD测试表明晶片呈现(111)取向。通过测试样品不同温度下的交流阻抗谱,研究了晶体缺陷的阻抗特性。结果表明,制备的CdZnTe单晶具有负温度系数效应,化学法制备的Au电极与晶片之间形成了欧姆接触,没有出现电极界面和晶界对阻抗谱曲线影响,晶粒导电机制占主导。利用Arrhenius方程拟合曲线获得晶体缺陷的激活能为0.48 eV,表明晶体缺陷以Cd空位为主。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 上海理工大学; 上海大学