提出一种利用吸合电极结构的可制造性设计手段，实现亚微米电极间隙的方法。利用静电力拉动可动电极位移实现超出光刻和刻蚀能力的超窄间隙，使得敏感电极间隙由1.3μm减小至300 nm,通过该方法获得的亚微米电极间隙对工艺离散性不敏感，电极间隙的不一致性可以下降1个数量级。结合本文提出的I2BAR结构的可制造性设计方法，可以实现完整的微机电系统（MEMS）振荡器可制造性设计。
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