雾化施液单晶硅互抛抛光速率实验研究

作者：李庆忠; 孙苏磊; 李强强

来源：硅酸盐通报, 2019, 38(08): 2369-2383.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2019.08.005

• 雾化互抛抛光
• 抛光参数
• 电化学
• 抛光速率

调节自配抛光液的H2O2含量、p H值、抛光盘转速和抛光压力,通过电化学实验,探究单晶硅互抛抛光过程中抛光工艺参数对腐蚀电位、腐蚀电流和抛光速率的影响规律,并解释其电化学机理。实验结果表明:雾化施液单晶硅互抛抛光速率随着p H值、H2O2浓度和抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,并在pH值为10. 5、H2O2浓度为2%、抛光盘转速为70 r/min处达到最大值,随着抛光压力的不断增大而增大;通过雾化施液单晶硅互抛抛光实验得到合理的工艺参数:p H值为10. 5、H2O2浓度为2%、抛光盘转速为60 r/min、抛光压力为7 psi,在该参数下,硅片的抛光速率达到635. 2 nm/min,表面粗糙度达到4. 01 nm。

• 单位
  江南大学