超薄氢化非晶锗膜的结构与光电性质

作者：李悰; 徐骏; 林涛; 李伟; 李淑鑫; 陈坤基

来源：发光学报, 2011, (11): 1165-1170.

• 非晶锗
• 电导率
• 光学带隙
• 光致发光 amorphous germanium
• electric conductivity
• optical band gap
• photoluminescence

通过PECVD制备出了不同厚度的a-Ge∶H膜,采用Raman光谱对样品进行了结构表征,由椭圆偏振光谱仪得到样品的厚度和光学常数,并计算了样品的光学带隙。由变温电导率分析了薄膜的电学输运性质,结果表明,载流子的传输机制为扩展态电导。进而利用变温PL谱研究了薄膜的发光性能,发现其发光峰在1.63μm处;随着膜厚的减小,峰位和峰形都有改变,且强度明显提高。进一步分析发现,随着膜厚的减小非辐射复合跃迁的激活能增大,从而导致辐射复合过程增强。

• 单位
  物理学院; 南京大学; 固体微结构物理国家重点实验室