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摘要
本发明涉及一种氮化镓基宽摆幅线性化器件的制作方法,包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层,在GaN缓冲层上形成PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作AlGaN/GaN HEMT器件,测试得到AlGaN/GaN HEMT器件的输入阻抗；在PIN二极管制作区域制作PIN二极管,使得PIN二极管的输出阻抗与输入阻抗共轭匹配；在PIN二极管和AlGaN/GaN HEMT器件上制作互联层,得到宽摆幅线性化器件。本发明实施例在功率放大器前加入PIN二极管,既可以实现电路宽摆幅,又可以提高功率放大器的线性度。
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