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摘要
为了研究层状ZrTe5(五碲化锆)在飞秒脉冲激发下的超快瞬态太赫兹辐射,利用太赫兹时域反射系统对其进行了测试分析。通过分析层状ZrTe5太赫兹电场幅度与飞秒激光泵浦功率及泵浦脉冲偏振关系,获得了层状ZrTe5产生太赫兹辐射的主要机理。同时还对比了相同泵浦条件下层状ZrTe5和本征GaAs(砷化镓)太赫兹辐射强度。研究表明,层状ZrTe5具有带隙结构窄、吸收深度浅、光生电子剩余能量较大、载流子迁移率较高等优势,在太赫兹产生方面比传统半导体具有更好的性能。该研究可为发现高效、高度集成化太赫兹辐射源提供参考。
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