PIN结构发光二极管反向击穿特性分析

作者：李树强; 夏伟; 马德营; 张新; 徐现刚; 蒋民华

来源：光电子.激光, 2006, 17(4): 506-508.

DOI：10.3321/j.issn:1005-0086.2006.04.029

• 发光二极管(LED)
• 反向击穿电压
• 多量子阱(MQW)
• PIN结构

通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性.通过利用LP-MOCVD技术生长了不同厚度多量子阱(MQW)有源区AlGaInP LED,测量了器件的反向击穿特征,测试结果与理论分析非常吻合.同时获得了AlGaInP MQW结构的临界反向击穿电场强度数值.这些结果可以作为具有PIN结构的LED性能优化的重要参考.

• 单位
  山东大学; 山东华光光电子有限公司