MOS栅氧的界面特性和辐照特性研究

作者：杨尊松; 王立新; 肖超; 宋李梅; 罗小梦; 李彬鸿; 陆江; 孙博韬

来源：微电子学, 2017, 47(02): 250-253.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.2017.02.025

• Si-SiO2界面
• 电导法
• 界面特性
• 辐照特性

通过交流电导法,对经过不同时间N2O快速热处理(RTP)的MOS电容进行界面特性和辐照特性研究。通过电导电压曲线,分析N2O RTP对Si-SiO2界面陷阱电荷和氧化物陷阱电荷造成的影响。结论表明,MOS电容的Si-SiO2界面陷阱密度随N2O快速热处理时间先增加再降低;零偏压总剂量辐照使氧化层陷阱电荷显著增加,而Si-SiO2界面陷阱电荷轻微减少。

• 单位
  中国科学院; 中国科学院微电子研究所; 中国科学院大学