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摘要
本发明公开了一种单片集成的逆导型氮化镓纵向功率器件及其制作方法,主要解决了现有的氮化镓基功率器件双向导通特性差,其电路成本高,性能差的问题。其自下而上包括：漏极、衬底层、漂移层、沟道层和源极,该沟道层的两侧设有P型GaN层,P型GaN层上方依次设有第一N型GaN层、第二N型GaN层和栅极,P型GaN层下方漂移层内部设有m层第一渐变P型GaN层,漂移层2的上方中央等间距设有n块P型调制岛,每块P型调制岛下方漂移层内部设有m层第二渐变P型GaN层,调制岛结构与结型场效应管结构交替排列。本发明降低了反向导通开启压降、增大了导通电流,其关断状态下泄漏电流小耐压高,具有良好的双向导通特性,可作为功率开关器件。
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