基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15μm GaAs LN pHEMT

作者：章军云; 王溯源; 林罡; 黄念宁

来源：电子与封装, 2018, 18(11): 36-47.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0125

• 248 nm DUV光刻机
• 烘胶工艺
• GaAs pHEMT
• Ka波段
• 低噪声放大器

报道了一种0.15μm GaAs pHEMT的制作工艺,该工艺使用248 nm DUV光刻机和烘胶工艺方案。利用成熟的Ka波段宽带低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在26.5～40 GHz频段内,电路增益大于17.5 dB,在29.5 GHz处增益达19.9 dB;噪声系数小于2.4 dB,在33.1 GHz处,最小噪声1.96 dB;输入输出驻波比小于1.36,1 dB压缩点输出功率大于6.4 dBm,直流功耗为142.5mW。和基于同样电路的电子束直写裸栅工艺相比,关键指标及生产效率都有明显提升。