低温红外面阵读出电路中的高性能缓冲器设计

作者：闫广; 赵毅强

来源：传感器与微系统, 2013, (05): 128-130+134.

DOI：10.13873/j.1000-97872013.05.024

• 低温
• 红外
• AB类输出级
• 恒定跨导
• 轨到轨
• 低功耗 cryogenic
• infrared(IR)
• class AB output stage
• constant transconductance
• rail-to-rail
• low power consumption

使用chrt 0.35μm 3.3V CMOS工艺设计了用于制冷型红外面阵读出电路的高性能输出缓冲器,该缓冲器能在红外读出电路5M/s的读出速度下驱动约25pF的负载电容,在输出幅度为2V的条件下,建立时间为40ns,平均功耗为3.94mA。给出了修改chrt 0.35μm后的模型参数的仿真结果与最后的测试结果,基本满足红外读出电路的设计要求。

• 单位
  天津大学