电沉积法制备用于一维纳米材料电子输运性质测量的基底

作者：刘进轩; 向娟; 田中群; 毛秉伟

来源：电化学, 2004, (01): 20-26.

DOI：10.13208/j.electrochem.2004.01.004

• 一维纳米材料
• CT_AFM
• I_E特性曲线
• 碳纳米管 One dimensional material
• I-E characteristics curve
• Conducting tip AFM
• Carbon nanotube

　应用电沉积方法制备两种低粗糙度、具有导电/绝缘交接结构的测量基底—Au/CuO和HOPG/CuO,并在带导电针尖的原子力显微测量(CT＿AFM)平台上建立了简便的一维纳米材料轴向电子输运性质测量方法.在大气室温条件下,对组装在两种基底上的单束碳纳米管轴向电学性质进行了定性测量,结果表明,该碳纳米管呈现金属性.

• 单位
  厦门大学; 固体表面物理化学国家重点实验室