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摘要
GeSe作为一种Ⅳ-Ⅵ族半导体，具有优良的光电性质。二维GeSe具有直接带隙，带隙值在1.0～1.2eV，与Si的带隙接近，因而单层GeSe可以用于光电领域。应用基于密度泛函理论的第一性原理方法探究了Al,O,B吸附对二维GeSe材料光电性质的影响，计算结果表明采用广义梯度近似（PW91形式下）交换关联泛函能够更好地描述GeSe单层的电子性质。吸附能计算结果表明，O,Al,B原子能稳定吸附在GeSe单层上，其中O形成的吸附最稳定。能带和态密度分析表明，吸附B,Al原子在带隙中产生的杂质能带使GeSe单层导电类型发生了改变，吸附原子调制了GeSe单层的带隙的宽度和光吸收的吸收边。光学性质计算结果表明，吸附原子影响了GeSe单层的折射率、消光性质，同时调控了光吸收和反射性质。Al吸附增强了从红外到可见光再到紫外光区整个光谱区的吸收；B吸附增强了从可见光到紫外光区的光吸收。同时，B,Al吸附也会增强光的反射，尤其是紫外光区的反射。总之，该研究为GeSe二维材料在光电领域的应用提供了可靠的理论依据。
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