高压大功率压接型IGBT器件封装技术研究综述

作者：唐新灵; 张朋; 陈中圆; 李金元; 温家良; 潘艳

来源：中国电机工程学报, 2019, 39(12): 3622-3638.

DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.181752

• 压接型IGBT
• 封装技术
• 品质因素

高压大功率压接型IGBT器件具有功率密度大、寄生电感低、双面散热、失效短路等优点,是用于智能电网、轨道交通等高压大功率电压源换流装备的理想器件。该文对ABB、Fuji、Toshiba、Westcode等公司的压接型IGBT器件封装技术路线进行介绍和分析,并对现有商业化大功率压接型IGBT器件的特性进行对比。综合已有压接型IGBT器件封装技术的特点与试验测量结果,提出将封装关键技术分为3个部分,并简要介绍各个部分的具体关键技术及研究现状。最后,基于压接型IGBT封装技术特点,结合实际工艺要求,提出一种评估压接型IGBT器件性能的判据,为后续压接型IGBT器件的开发与设计提供参考。

• 单位
  全球能源互联网研究院