特高压晶闸管掺杂技术研究

作者：高山城; 罗艳红; 张琦; 吴飞鸟; 高飞

来源：价值工程, 2014, 33(17): 47-48.

DOI：10.14018/j.cnki.cn13-1085/n.2014.17.132

• 晶闸管
• 掺杂技术
• 特高压直流输电
• 6σ设计

特高压晶闸管半导体芯片主要通过掺杂技术形成。高均匀性、高寿命掺杂技术是获得高品质特高压晶闸管的根本保证。本文通过一系列大胆的创新方法和先进"6σ设计[1]"的控制措施,成功研制了世界上首只6英寸4000A/8000V特高压晶闸管,并成功应用于"向家坝-上海±800KV/6400MW"特高压直流输电示范工程中。

• 单位
  西安电力电子技术研究所