波长拓展型InGaAsBi近红外探测器（英文）

作者：冯铎; 代金梦; 曹有祥; 张立瑶^*

来源：红外与毫米波学报, 2023, 42(04): 468-475.

• 铟镓砷铋
• 暗电流
• 响应率
• 短波红外

InGaAs光电探测器广泛应用于短波红外检测。在InGaAs中掺入Bi可以减小带隙，延长探测波长。通过控制In和Bi的组分可使Iny Ga1-yAs1-xBix与InP晶格匹配，同时，扩展探测波长至3μm以上。设计并研究了In0.394Ga0.606As0.913Bi0.087 p-i-n光电探测器的光电性能。计算了不同温度、吸收层厚度和p(n)区掺杂浓度下的暗电流和响应率特性。获得了3μm的截止波长。该结构为拓展InP基晶格匹配的短波红外探测器的探测波长提供了一种可行的方法。

• 单位
  上海理工大学