量子限制受主的光致发光研究

作者：李素梅; 宋淑梅; 吕英波; 王爱芳; 吴爱玲; 郑卫民

来源：Acta Physica Sinica, 2009, 58(07): 4936-4940.

• 量子限制受主
• 光致发光
• 多量子阱
• δ掺杂 quantum confined acceptors
• photoluminescence
• multiple quantum wells
• delta-doped

对一系列δ掺杂浅受主铍(Be)原子的GaAs/AlAs多量子阱和均匀掺杂Be受主的GaAs体材料中Be原子的能级间跃迁进行了光致发光(PL)研究.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的均匀掺杂Be受主的GaAs外延单层样品和一系列GaAs/AlAs多量子阱样品,并在每量子阱中央进行了Be原子的δ掺杂,量子阱宽度为30到200.在4.2 K温度下测量了上述系列样品的光致发光谱,清楚地观察到了束缚激子的受主从基态1s3/2(Γ6)到第一激发态2s3/2(Γ6)的两空穴跃迁.应用变分原理,计算了量子限制Be受主从2s到1s跃迁能量随量子阱宽度的变化关系.研究发现受主跃迁能量随量子阱宽度的变窄而增...

• 单位
  物理学院; 山东大学