本文提出一种新型npn薄膜Cu(In1-xGax)Se2太阳能电池结构。与传统的CIGS电池相比,发射极CdS在垂直方向上产生电子,并且可以在水平方向上进行收集。本文使用Silvaco TCAD软件进行仿真,首先介绍了仿真的新型npn薄膜Cu(In1-xGax)Se2太阳能电池结构,为了优化结构对抗反射层MgF2的厚度进行了讨论,其次对缺口深度做了全面的分析,最后进一步优化电池做了背表面的处理。
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