SiC颗粒增强镁基复合材料界面稳定性的第一性原理计算

作者：周乐章; 薄文杰; 李**; 耿桂宏^*; 王月

来源：真空科学与技术学报, 2022, 42(01): 55-59.

DOI：10.13922/j.cnki.cjvst.202105008

• 镁基复合材料
• 界面
• 稳定性
• 第一性原理

针对SiC颗粒增强镁基复合材料界面的理论研究较少,大多研究仅停留在表征层面等问题。本文采用第一性原理方法,计算了四种不同SiC(0001)/Mg(0001)界面模型的电荷密度、布局分析和界面分离功。结果表明:对于同种终端的SiC(0001)/Mg(0001)界面模型中,顶位型结构比心位型结构的稳定性好;不同终端的SiC(0001)/Mg(0001)的界面模型中,Si终端结构比C终端结构更加稳定,其中Si终端顶位型结构稳定性最好,其分离功为Wsep=3.297 J/m2,界面间距为d0=2.651nm。界面的键合方式主要为C-Mg共价键和Mg-Si离子键。

• 单位
  北方民族大学