一种源漏抬升FDSOI器件的栅围寄生互连电容提取方法

作者：刘人华; 王昌锋; 田明; 李相龙; 孙亚宾; 李小进; 石艳玲; 廖端泉; 曹永峰

来源：2019-07-25, 中国, ZL201910675037.7.

本发明公开了一种源漏抬升FDSOI器件的栅围寄生互连电容提取方法,该方法可利用源漏接触孔位于浅沟槽隔离区域(简称为CT-on-STI)去嵌结构,去除有源区电容Cf和栅与源漏抬升区域寄生电容Cp-RSD对栅围寄生互连电容栅与源漏接触孔的寄生电容Cco和栅与源漏接触孔上方第一层金属的寄生电容Cpm提取的影响,并在三维有限元仿真工具的辅助下通过源漏接触孔位于抬升源漏区域(简称为CT-on-RSD)结构准确地得到源漏抬升的FDSOI器件的栅围寄生互连电容Cco和Cpm的值,从而在版图寄生提取工具中准确地建立了栅围寄生互连电容的模型,避免了在栅围寄生电容提取的过程中发生互连电容Cco和Cpm电容重复提取的现象。

• 单位
  华东师范大学