WSix复合栅薄膜工艺开发

作者：陈海峰; 罗平; 李红征

来源：电子与封装, 2005, (03): 37-40.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2005.03.009

• WSix
• "Polycide"复合栅
• 电阻率
• RTP退火

本文对CVD WSix制造设备及工艺进行了详细的描述,以大量的实验数据为依据,开发出适合本科研生产线WSix复合栅薄膜的工艺标准。

• 单位
  中国电子科技集团公司