薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法以及显示装置

作者：闫梁臣; 袁广才; 徐晓光; 王磊; 彭俊彪; 兰林锋

来源：2016-01-22, 中国, CN201610045906.4.

本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法,以提高薄膜晶体管半导体层的抗酸性,并降低薄膜晶体管的制备成本。薄膜晶体管包括半导体层,所述半导体层包括掺入锡的氧化锆。在本发明的技术方案中,退火处理后的半导体层的抗酸性较强,可以在其表面通过湿法刻蚀形成源漏电极层,相比现有技术,无需设置刻蚀阻挡层,因此,薄膜晶体管的制备工艺得到了简化,生产成本较低；并且,氧化锆中掺入锡后,锡可以调控氧化锆的能带结构,使氧化锆的能级发生变化,进而容易形成载流子,增强了半导体层的导电性；此外,该薄膜晶体管的半导体层不包含铟,因此大大降低了制备成本。

• 单位
  京东方科技集团股份有限公司; 华南理工大学