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摘要
逆导型IGBT（RC-IGBT）是一种新型的IGBT器件，它在IGBT芯片结构中集成了一个快恢复二极管（FRD），使得其具有成本低、封装工艺简单、功率密度高、抗浪涌电流能力高等特点，因而备受工业界关注，对其可靠性的要求也越来越高。但是由于RC-IGBT器件特殊的芯片结构使得其输出特性曲线上具有回跳现象。而回跳现象是否会对RC-IGBT器件可靠性的考察产生影响还有待研究。因此本文首先深入分析了回跳现象产生的机理，并结合考察器件可靠性最重要的实验—功率循环实验的原理的阐述，分析得到回跳现象可能会对功率循环中结温测量、并联分流及功率循环寿命及失效形式三个方面产生影响，并通过设计实验进行论证。实验结果表明回跳现象会对V_(CE)(T)法进行结温测量产生影响，而对V_(F)(T)法进行结温测量没有影响；通过并联分流实验发现具有较小回跳电压的器件会在电流流过器件瞬间分得更多的电流，但是其影响时间较短；最后通过不同导通模式下的功率循环实验对比分析可得回跳现象对分立器件的功率循环寿命及失效方式没有影响。
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单位华北电力大学; 新能源电力系统国家重点实验室
