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摘要
对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模集成电路测试系统测试了NROM的DC、AC、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。测试结果表明:界面态陷阱电荷引起了电路模块中的电荷泵和灵敏放大器MOS管阈值漂移,进而性能恶化、器件功能失效。退火期间由于界面态陷阱电荷没有发生大量退火,致使电路模块性能没有完全恢复,电流参数没有明显下降。
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单位中国科学院; 新疆理化技术研究所
