高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的研究

作者：黄健华

来源：其他, 2011.

• 4H-SiC结势垒肖特基二极管
• 结终端技术
• 击穿电压
• 埋层 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diode
• Junction Termination Technology
• Breakdown Voltage
• Buried Layer

宽禁带半导体碳化硅以其优越的性能成为功率电子器件的理想材料且得到了广泛的研究。4H-SiC JBS(Junction Barrier Schottky Diode)二极管结合了PiN二极管和肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode)两者的优势，具有小开启电压、低反向漏电流、高击穿电压和高开关速度等特性，因此在高压和高速领域具有广阔的应用前景。 围绕高压4H-SiC JBS器件的设计，本文利用二维半导体模拟软件ISE-DESSIS进行了结终端技术和新型结构的研究： 由于受到电场集中效应的影响，器件的耐压将会严重下降，因此必须使用相应的结终端技术。本文讨...

• 单位
  西安电子科技大学