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摘要
X 射线光刻(XRL)采用约 1nm 波长的 X 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，XRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 XRL 开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于 50 nm XRL 的掩模制备的关键技术。
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X 射线光刻(XRL)采用约 1nm 波长的 X 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，XRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 XRL 开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于 50 nm XRL 的掩模制备的关键技术。
