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摘要
本发明公开了一种增强型GaN#HEMT器件及其制备方法,包括衬底以及设置在衬底上的HEMT异质结结构；所述的HEMT异质结结构顶层为薄AlGaN势垒层；在薄AlGaN势垒层上方分别设置漏极、源极和栅极；薄AlGaN势垒层上方在栅极与源极之间、栅极与漏极之间设置介质层用于提高沟道的二维电子气浓度；所述的薄AlGaN势垒层与漏极、源极为欧姆接触,与栅极为肖特基接触。优点在于,通过采用薄AlGaN势垒层使HEMT器件栅极区域的沟道处于耗尽截止状态,在栅#漏、栅#源之间的区域则通过调控介质层作用来提高其沟道的二维电子气浓度,从而实现具有较小导通电阻的增强型器件。
- 单位
