高质量石墨烯的化学气相沉积制备工艺参数研究

作者：白清顺; 郭万民; 何成慧; 张智豪; 李玉婷; 郭永博

来源：炭素技术, 2020, 39(06): 31-34.

DOI：10.14078/j.cnki.1001-3741.2020.06.006

• 石墨烯
• 化学气相沉积
• 晶体铜
• 生长条件

石墨烯的制备工艺参数和条件对其性能有直接影响,获得可靠有效的制备工艺条件对提升石墨烯的质量具有重要的意义。虽然,化学气相沉积(CVD)已经成为制备石墨烯的有效方法,然而采用化学气相沉积法制备石墨烯的工艺参数十分苛刻,受到生长温度、时间、气体流量等多种因素的影响。本文采用化学气相沉积方法,在晶体铜表面制备石墨烯薄膜。给出了高温低压条件下CVD法制备石墨烯工艺流程,分析了石墨烯生长过程中生长温度、生长时间、CH4流量和H2流量对石墨烯沉积质量的影响。在研究石墨烯沉积质量影响规律的基础上,确定了CVD法制备石墨烯薄膜的工艺条件,并成功地在晶体铜表面制备出高质量的石墨烯。

• 单位
  机电工程学院; 哈尔滨工业大学